MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 100 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 272 A, 3 Pin, TO-263, Superficie CSD19536KTTT

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
900-9857
Codice costruttore:
CSD19536KTTT
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

272A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NexFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


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