MOSFET Texas Instruments, canale Tipo N 100 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 272 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 50 unità*

207,60 €

(IVA esclusa)

253,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
50 - 504,152 €207,60 €
100 - 2003,986 €199,30 €
250 +3,862 €193,10 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
162-9739
Codice costruttore:
CSD19536KTTT
Costruttore:
Texas Instruments
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Texas Instruments

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

272A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NexFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


Link consigliati