MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 272 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 162-9739
Codice costruttore:: CSD19536KTTT
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 272 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 50)**

3,741 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
50 - 50	3,741 €	187,05 €
100 - 200	3,645 €	182,25 €
250 +	3,553 €	177,65 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 162-9739
Codice costruttore:: CSD19536KTTT
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	272 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	NexFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	118 nC a 0 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	4.83mm

MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 272 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments

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