MOSFET Vishay, canale N 250 V, 450 mΩ Miglioramento, 8.1 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF634S-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2632
Codice costruttore:
SIHF634S-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

SiHF634S

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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