MOSFET onsemi, canale N, 2,4 mΩ, 229 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-3399
Codice costruttore:: FDB024N08BL7
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,4 mΩ, 229 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)

2,065 €

(IVA esclusa)

2,519 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
800 +	2,065 €	1.652,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-3399
Codice costruttore:: FDB024N08BL7
Costruttore:: onsemi

FDB024N08BL7, N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 229A, 2.4mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	229 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	2,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	246 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	137 nC a 40 V
Altezza	4.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 2,4 mΩ, 229 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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