MOSFET Infineon, canale N, 2,4 mΩ, 195 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6504
Codice costruttore:: IRFS7534TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,4 mΩ, 195 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-6504
Codice costruttore:: IRFS7534TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET della serie StrongIRFET di Infineon, corrente di scarico continua massima di 195A, dissipazione di potenza massima di 294W - IRFS7534TRLPBF

Questo MOSFET è stato progettato per una gestione efficiente della potenza in una serie di applicazioni elettroniche. Con la capacità di gestire correnti di drenaggio continue fino a 195A e una tensione di drenaggio-sorgente di 60V, offre prestazioni efficaci per diversi compiti. Le sue capacità nelle configurazioni a montaggio superficiale migliorano l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti per i professionisti dell'automazione e dell'elettronica.

Caratteristiche e vantaggi

• L'elevata capacità di corrente supporta carichi impegnativi
• La bassa Rds(on) di 2,4mΩ migliora l'efficienza energetica
• Progettato per il funzionamento ad alta temperatura fino a +175°C
• Robusta resistenza alle valanghe e alla dinamica dV/dt per un funzionamento affidabile
• La capacità completamente caratterizzata facilita l'accuratezza delle prestazioni di commutazione

Applicazioni

• Adatto per circuiti di azionamento di motori brushed e BLDC
• Efficace per l'alimentazione a batteria e convertitori di potenza
• Utile nelle topologie a mezzo ponte e a ponte intero per vari progetti
• Applicabile negli inverter CC/CA e negli alimentatori in modalità risonante
• Ideale per interruttori di potenza ridondanti in sistemi critici

In che modo questo componente gestisce la gestione termica?

Funziona in modo efficiente in condizioni termiche elevate, con una temperatura massima di +175°C.

Quali sono le implicazioni del basso valore di Rds(on)?

La bassa resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di conduzione, con conseguente aumento dell'efficienza nella distribuzione della potenza.

Può essere utilizzato in applicazioni con condizioni di carico variabili?

Sì, la sua elevata capacità di corrente e le sue caratteristiche di robustezza lo rendono in grado di gestire efficacemente condizioni di carico fluttuanti.

Quale tipo di montaggio è consigliato per ottenere prestazioni ottimali?

La tecnologia di montaggio superficiale è consigliata per un'efficiente dissipazione del calore e un'integrazione compatta.

Come si comporta in condizioni di pulsazione?

È in grado di gestire in modo sicuro correnti di drenaggio pulsate fino a 944A, offrendo flessibilità per situazioni transitorie senza guasti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	195 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	StrongIRFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	294 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	186 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Lunghezza	10.67mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C