MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 195 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS7534TRLPBF
- Codice RS:
- 820-8873
- Codice costruttore:
- IRFS7534TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
4,70 €
(IVA esclusa)
5,74 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 738 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,35 € | 4,70 € |
| 20 - 48 | 2,16 € | 4,32 € |
| 50 - 98 | 2,02 € | 4,04 € |
| 100 - 198 | 1,88 € | 3,76 € |
| 200 + | 1,735 € | 3,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 820-8873
- Codice costruttore:
- IRFS7534TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 195A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 294W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 186nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 195A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 294W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 186nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET della serie StrongIRFET di Infineon, corrente di scarico continua massima di 195A, dissipazione di potenza massima di 294W - IRFS7534TRLPBF
Questo MOSFET è stato progettato per una gestione efficiente della potenza in una serie di applicazioni elettroniche. Con la capacità di gestire correnti di drenaggio continue fino a 195A e una tensione di drenaggio-sorgente di 60V, offre prestazioni efficaci per diversi compiti. Le sue capacità nelle configurazioni a montaggio superficiale migliorano l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti per i professionisti dell'automazione e dell'elettronica.
Caratteristiche e vantaggi
• L'elevata capacità di corrente supporta carichi impegnativi
• La bassa Rds(on) di 2,4mΩ migliora l'efficienza energetica
• Progettato per il funzionamento ad alta temperatura fino a +175°C
• Robusta resistenza alle valanghe e alla dinamica dV/dt per un funzionamento affidabile
• La capacità completamente caratterizzata facilita l'accuratezza delle prestazioni di commutazione
Applicazioni
• Adatto per circuiti di azionamento di motori brushed e BLDC
• Efficace per l'alimentazione a batteria e convertitori di potenza
• Utile nelle topologie a mezzo ponte e a ponte intero per vari progetti
• Applicabile negli inverter CC/CA e negli alimentatori in modalità risonante
• Ideale per interruttori di potenza ridondanti in sistemi critici
In che modo questo componente gestisce la gestione termica?
Funziona in modo efficiente in condizioni termiche elevate, con una temperatura massima di +175°C.
Quali sono le implicazioni del basso valore di Rds(on)?
La bassa resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di conduzione, con conseguente aumento dell'efficienza nella distribuzione della potenza.
Può essere utilizzato in applicazioni con condizioni di carico variabili?
Sì, la sua elevata capacità di corrente e le sue caratteristiche di robustezza lo rendono in grado di gestire efficacemente condizioni di carico fluttuanti.
Quale tipo di montaggio è consigliato per ottenere prestazioni ottimali?
La tecnologia di montaggio superficiale è consigliata per un'efficiente dissipazione del calore e un'integrazione compatta.
Come si comporta in condizioni di pulsazione?
È in grado di gestire in modo sicuro correnti di drenaggio pulsate fino a 944A, offrendo flessibilità per situazioni transitorie senza guasti.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2 195 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 12 195 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 2 235 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 2 229 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 2 150 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 160 mΩ8 A Su foro
- MOSFET Infineon 60 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 7 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
