MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2 mΩ, 195 A, TO-263

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Codice RS:
257-9437
Codice costruttore:
IRFS7530TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

195A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

274nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRFS di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore D2 Pak.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Ottimizzato per la tensione di azionamento del gate da 10 V (chiamato livello normale)

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

Possibilità di saldatura a onda

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