MOSFET Infineon, canale N 150 V, 12.1 mΩ Miglioramento, 195 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-8288
Codice costruttore:
IRFS4115TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

195A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

77nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

11.3mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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