MOSFET Infineon, canale N 60 V, 4.2 mΩ, 160 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
257-9423
Codice costruttore:
IRFS3306TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

160A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.2mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie IRFS di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore D2 Pak.

Migliore robustezza del gate, valanga e dinamica dV/dt

Capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga

Diodo con corpo migliorato con capacità dV/dt e dI/dt senza piombo

Conforme a RoHS, privo di alogeni

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