MOSFET onsemi, canale N 80 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 229 A, 7 Pin, TO-263, Superficie FDB024N08BL7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
864-7941
Codice costruttore:
FDB024N08BL7
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

229A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-263

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

246W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

137nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.2mm

Altezza

4.7mm

Larghezza

9.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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