MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 11 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
124-1414
Codice costruttore:
FDB050AN06A0
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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