MOSFET STMicroelectronics, canale N 800 V, 16 Ω Miglioramento, 1 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale STD1NK80ZT4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-905
Codice costruttore:
STD1NK80ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

SuperMESH

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è un dispositivo ad alta tensione con canale N protetto da Zener sviluppato utilizzando la tecnologia SuperMESH, un'ottimizzazione del consolidato PowerMESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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