MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 16 Ω Miglioramento, 1 A, 3 Pin, TO-252 STD1NK80ZT4
- Codice RS:
- 151-905
- Codice costruttore:
- STD1NK80ZT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-905
- Codice costruttore:
- STD1NK80ZT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 45W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 45W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è un dispositivo ad alta tensione con canale N protetto da Zener sviluppato utilizzando la tecnologia SuperMESH, un'ottimizzazione del consolidato PowerMESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.
Carica gate ridotta al minimo
Capacità intrinseca molto bassa
Protezione Zener
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