MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 340 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
261-5526
Codice costruttore:
STD80N340K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

340mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics sulla tecnologia Super Junction. È dotato della migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.

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