MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 340 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 261-5526
- Codice costruttore:
- STD80N340K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
5232,50 €
(IVA esclusa)
6382,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 04 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 2,093 € | 5.232,50 € |
| 5000 - 5000 | 2,039 € | 5.097,50 € |
| 7500 + | 1,988 € | 4.970,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 261-5526
- Codice costruttore:
- STD80N340K6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 340mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 340mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics sulla tecnologia Super Junction. È dotato della migliore resistenza all'accensione della categoria per area e carica gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza e un'elevata efficienza.
Carica gate ultra bassa
Testato al 100% contro le valanghe
Protezione Zener
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 340 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie STD80N340K6
- MOSFET STMicroelectronics 340 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 340 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie STD15N65M5
- MOSFET STMicroelectronics 340 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante STP80N340K6
- MOSFET STMicroelectronics 340 mΩ 3 Pin Foro passante
- MOSFET Toshiba 340 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 340 mΩ 3 Pin Foro passante STF80N340K6
- MOSFET STMicroelectronics 16 Ω Miglioramento 3 Pin, TO-252 STD1NK80ZT4
