MOSFET Toshiba, canale Tipo N 600 V, 340 mΩ Miglioramento, 11.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
173-2857
Codice costruttore:
TK12P60W,RVQ(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

11.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

DTMOSIV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

340mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

-1.7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

6.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Transistor MOSFET, Toshiba


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