MOSFET Toshiba, canale Tipo N 600 V, 300 mΩ Miglioramento, 11.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante TK12E60W,S1VX(S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-6113
Codice costruttore:
TK12E60W,S1VX(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

11.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

TK

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

-1.7V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.45 mm

Lunghezza

10.16mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Transistor MOSFET, Toshiba


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