MOSFET Toshiba, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 168-7950
Codice costruttore:: TK12E60W,S1VX(S
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 13/11/2024.

Prezzo stimato (50 Unità)

70,55 €

(IVA esclusa)

86,05 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
50 +	1,411 €	70,55 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7950
Codice costruttore:: TK12E60W,S1VX(S
Costruttore:: Toshiba

TK12E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 168-7950
Codice costruttore:: TK12E60W,S1VX(S
Costruttore:: Toshiba

TK12E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.16mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.45mm
Altezza	15.1mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.16mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.45mm
Altezza	15.1mm

MOSFET Toshiba, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Link consigliati