MOSFET Toshiba, canale N, 1,4 mΩ, 340 A, SOP, Montaggio superficiale

Convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza
Regolatori switching di tensione
Azionamenti per motori
Commutazione ad alta velocità
Carica di gate piccola: QSW = 23 nC (tip.)
Carica di uscita piccola: Qoss = 85,4 nC (tip.)
Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 0,7 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)
Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)
Modalità potenziata: Vth = da 1,4 a 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)