MOSFET Toshiba, canale N, 13,1 mΩ, 20 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-7785
Codice costruttore:: TPCA8052-H
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 13,1 mΩ, 20 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,63 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,63 €	3.150,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7785
Codice costruttore:: TPCA8052-H
Costruttore:: Toshiba

TPCA8052-H, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVI-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	TPC
Tipo di package	SOP Advanced
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	13,1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Altezza	0.95mm

MOSFET Toshiba, canale N, 13,1 mΩ, 20 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, TPCAxxxx, Toshiba

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