MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-7782
Codice costruttore:: TPC8125
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 168-7782
Codice costruttore:: TPC8125
Costruttore:: Toshiba

TPC8125, Silicon P-Channel MOSFET (U-MOSVI) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	TPC
Tipo di package	SOP
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	17 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	64 nC a 10 V
Lunghezza	4.9mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.9mm
Altezza	1.52mm

MOSFET Toshiba, canale P, 17 mΩ, 10 A, SOP, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, serie TPC, Toshiba

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