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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Toshiba
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	93A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SOP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	78W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	58nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Altezza	0.95mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Toshiba
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 93A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SOP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 78W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Altezza 0.95mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Convertitori cc-cc

Regolatori switching di tensione

Azionamenti per motori

Contenitore piccolo e sottile

Commutazione ad alta velocità

Carica di gate piccola: QSW = 22 nC (tip.)

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 3,7 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)

Modalità potenziata: Vth = da 2 a 4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

MOSFET Toshiba, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 93 A, 8 Pin, SOP, Superficie

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