MOSFET Toshiba, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 93 A, 8 Pin, SOP, Superficie
- Codice RS:
- 171-2202
- Codice costruttore:
- TPH4R50ANH
- Costruttore:
- Toshiba
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
5720,00 €
(IVA esclusa)
6980,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 29 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,144 € | 5.720,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-2202
- Codice costruttore:
- TPH4R50ANH
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 93A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 58nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 78W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 93A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 78W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 5 mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
Convertitori cc-cc
Regolatori switching di tensione
Azionamenti per motori
Contenitore piccolo e sottile
Commutazione ad alta velocità
Carica di gate piccola: QSW = 22 nC (tip.)
Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 3,7 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)
Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)
Modalità potenziata: Vth = da 2 a 4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Link consigliati
- MOSFET Toshiba 4.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie TPH4R50ANH
- MOSFET Toshiba 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Toshiba 6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Toshiba 6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie TPH3R704PL
- MOSFET Toshiba 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie TPHR8504PL
- MOSFET Toshiba 13.1 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Toshiba 13.1 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie TPCA8052-H
- MOSFET Toshiba 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
