Codice costruttore

MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 340 A, 8 Pin, SOP, Superficie

Codice RS:: 171-2205
Codice costruttore:: TPHR8504PL
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 340 A, 8 Pin, SOP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

7835,00 €

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5000 +	1,567 €	7.835,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 171-2205
Codice costruttore:: TPHR8504PL
Costruttore:: Toshiba

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Toshiba
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	340A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	SOP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	170W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	103nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	0.95mm
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Toshiba
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 340A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package SOP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 170W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 103nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 0.95mm
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5mm
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza

Regolatori switching di tensione

Azionamenti per motori

Commutazione ad alta velocità

Carica di gate piccola: QSW = 23 nC (tip.)

Carica di uscita piccola: Qoss = 85,4 nC (tip.)

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 0,7 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Modalità potenziata: Vth = da 1,4 a 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)

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