MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 2.4 Ω Miglioramento, 150 A, 8 Pin, SOP, Superficie TPHR8504PL,L1Q(M
- Codice RS:
- 206-9797
- Codice costruttore:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Costruttore:
- Toshiba
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
9,98 €
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-9797
- Codice costruttore:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | TPHR8504PL | |
| Tipo di package | SOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 103nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie TPHR8504PL | ||
Tipo di package SOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 103nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5 mm | ||
Lunghezza 6mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza, regolatori di tensione di commutazione e azionamenti per motori.
Bassa resistenza all'accensione drain-source 0,7 m?
Temperatura di stoccaggio da -55 a 175 °C.
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