MOSFET Toshiba, canale N 75 V, 2.6 mΩ, 168 A, 8 Pin, SOP, Superficie TPH2R608NH,L1Q(M

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-3629
Codice costruttore:
TPH2R608NH,L1Q(M
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

168A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

SOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.6mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

950μm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5mm

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Toshiba è costituito dal materiale in silicio e ha tipo MOS a canale N. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza e applicazioni con regolatori di tensione di commutazione.

Commutazione ad alta velocità

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