MOSFET Toshiba, canale Tipo N 75 V, 2.6 mΩ, 168 A, 8 Pin, SOP, Superficie TPH2R608NH,L1Q(M
- Codice RS:
- 236-3629
- Codice costruttore:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Costruttore:
- Toshiba
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 50 - 495 | 0,596 € | 2,98 € |
| 500 - 995 | 0,528 € | 2,64 € |
| 1000 - 2495 | 0,476 € | 2,38 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-3629
- Codice costruttore:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 168A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | SOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.6mΩ | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 72nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 168A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package SOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.6mΩ | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.95mm | ||
Larghezza 5 mm | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Toshiba è costituito dal materiale in silicio e ha tipo MOS a canale N. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza e applicazioni con regolatori di tensione di commutazione.
Commutazione ad alta velocità
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