MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 2.4 Ω Miglioramento, 150 A, 8 Pin, SOP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

7940,00 €

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Codice RS:
206-9796
Codice costruttore:
TPHR8504PL,L1Q(M
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TPHR8504PL

Tipo di package

SOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

103nC

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza, regolatori di tensione di commutazione e azionamenti per motori.

Bassa resistenza all'accensione drain-source 0,7 m?

Temperatura di stoccaggio da -55 a 175 °C.

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