MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 2.3 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SOP, Superficie TPH1R306PL,L1Q(M

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

14,57 €

(IVA esclusa)

17,775 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3830 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,914 €14,57 €
50 - 4952,27 €11,35 €
500 - 9951,852 €9,26 €
1000 - 24951,816 €9,08 €
2500 +1,79 €8,95 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-9790
Codice costruttore:
TPH1R306PL,L1Q(M
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TPH1R306PL

Tipo di package

SOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6mm

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza, regolatori di tensione di commutazione e azionamenti per motori.

Bassa resistenza all'accensione drain-source 1,0 m?

Temperatura di stoccaggio da -55 a 175 °C.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.