MOSFET Toshiba, canale N 60 V, 2.3 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SOP, Superficie TPH1R306PL,L1Q(M

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-9790
Codice costruttore:
TPH1R306PL,L1Q(M
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOP

Serie

TPH1R306PL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

900μm

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza, regolatori di tensione di commutazione e azionamenti per motori.

Bassa resistenza all'accensione drain-source 1,0 m?

Temperatura di stoccaggio da -55 a 175 °C.

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