MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 41 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, TSON, Superficie TPN14006NH,L1Q(M

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

6,13 €

(IVA esclusa)

7,48 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 400,613 €6,13 €
50 - 900,499 €4,99 €
100 - 9900,451 €4,51 €
1000 - 29900,442 €4,42 €
3000 +0,43 €4,30 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2385
Codice costruttore:
TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.85mm

Lunghezza

3.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Regolatori switching di tensione

Azionamenti per motori

Convertitori cc-cc

Commutazione ad alta velocità

Carica di gate piccola: QSW = 5,5 nC (tip.)

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 11 mΩ (tip.)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Modalità potenziata: Vth = da 2 a 4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.