MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 41 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, TSON, Superficie TPN14006NH,L1Q(M

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2385
Codice costruttore:
TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.1mm

Altezza

0.85mm

Larghezza

3.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Esente

Regolatori switching di tensione

Azionamenti per motori

Convertitori cc-cc

Commutazione ad alta velocità

Carica di gate piccola: QSW = 5,5 nC (tip.)

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 11 mΩ (tip.)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Modalità potenziata: Vth = da 2 a 4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

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