MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2385
Codice costruttore:: TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-2385
Codice costruttore:: TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:: Toshiba

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	65 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	3.1mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	0.85mm

MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

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