MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 41 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, TSON, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1960,00 €

(IVA esclusa)

2390,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 - 50000,392 €1.960,00 €
10000 +0,362 €1.810,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
171-2206
Codice costruttore:
TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.1 mm

Lunghezza

3.1mm

Altezza

0.85mm

Standard automobilistico

No

Esente

Regolatori switching di tensione

Azionamenti per motori

Convertitori cc-cc

Commutazione ad alta velocità

Carica di gate piccola: QSW = 5,5 nC (tip.)

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 11 mΩ (tip.)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Modalità potenziata: Vth = da 2 a 4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

Link consigliati