MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2206
Codice costruttore:: TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1 bobina da 5000 unità**

1840,00 €

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2245,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 - 5000	0,368 €	1.840,00 €
10000 +	0,34 €	1.700,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 171-2206
Codice costruttore:: TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	65 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.1mm
Lunghezza	3.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	0.85mm

MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

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