MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2206
Codice costruttore:: TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,368 €

(IVA esclusa)

0,449 €

(IVA inclusa)

1840 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
5000 - 5000	0,368 €	1.840,00 €
10000 +	0,34 €	1.700,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 171-2206
Codice costruttore:: TPN14006NH,L1Q(M
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	65 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	0.85mm

MOSFET Toshiba, canale N, 41 mΩ, 65 A, TSON, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Link consigliati