MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 4.3 mΩ Miglioramento, 65 A, 3 Pin, TO-252, Superficie TK65S04N1L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2494
Codice costruttore:
TK65S04N1L
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

7 mm

Altezza

2.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
JP
Applicazioni

Automobilistico

Azionamenti per motori

Regolatori switching di tensione

Caratteristiche

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 3,3 mΩ (tip.)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Modalità potenziata: Vth = da 1,5 a 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

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