MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie TK100S04N1L

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,90 €

(IVA esclusa)

10,85 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3515 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 201,78 €8,90 €
25 - 951,526 €7,63 €
100 - 9951,336 €6,68 €
1000 +1,188 €5,94 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2499
Codice costruttore:
TK100S04N1L
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
JP
Applicazioni

Automobilistico

Regolatori switching di tensione

Azionamenti per motori

Caratteristiche

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 1,9 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Modalità potenziata: Vth = da 1,5 a 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

Link consigliati