MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 80 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie TK8S06K3L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2501
Codice costruttore:
TK8S06K3L
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

7 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
JP
Automobilistico

Azionamenti per motori

Convertitori cc-cc

Regolatori switching di tensione

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 43 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Modalità potenziata: Vth = da 2 a 3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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