MOSFET Toshiba, canale P, 9,4 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2485
Codice costruttore:: TJ60S04M3L
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale P, 9,4 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-2485
Codice costruttore:: TJ60S04M3L
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	60 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	90 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +10 V
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	7mm
Carica gate tipica @ Vgs	125 nC a 10 V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	2.3mm

MOSFET Toshiba, canale P, 9,4 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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