MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-1719
Codice costruttore:: FQD11P06TM
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità**

1.087,50 €

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Confronta

Codice RS:: 124-1719
Codice costruttore:: FQD11P06TM
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Product Change Notification

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	9,4 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	185 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 10 V
Lunghezza	6.6mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	6.1mm
Altezza	2.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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