MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 671-0949
Codice costruttore:: FQD11P06TM
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

1,006 €

(IVA esclusa)

1,227 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 20	1,006 €	5,03 €
25 - 120	0,59 €	2,95 €
125 - 620	0,452 €	2,26 €
625 - 1245	0,412 €	2,06 €
1250 +	0,404 €	2,02 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 671-0949
Codice costruttore:: FQD11P06TM
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata
• Progettazione celle ad alta densità
• Corrente di saturazione elevata
• Commutazione superiore
• Prestazioni robuste e affidabili
• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico
• Convertitore DC/DC
• Protezione della batteria
• Controllo della gestione dell'alimentazione
• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	9,4 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	185 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	6.6mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 10 V
Larghezza	6.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.3mm