MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 185 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD11P06TM

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0949
Codice costruttore:
FQD11P06TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

QFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

185mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

-4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.3mm

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor


La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:


• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:


• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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