MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 185 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD11P06TM

Codice RS:: 671-0949
Codice costruttore:: FQD11P06TM
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 185 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD11P06TM

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

7,42 €

(IVA esclusa)

9,05 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 185 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Più 1405 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	1,484 €	7,42 €
50 - 95	1,28 €	6,40 €
100 - 495	1,108 €	5,54 €
500 - 995	0,974 €	4,87 €
1000 +	0,886 €	4,43 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 671-0949
Codice costruttore:: FQD11P06TM
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	9.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	QFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	185mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Tensione diretta Vf	-4V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	6.1 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	2.3mm
	Lunghezza	6.6mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 9.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TO-252
	Serie QFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 185mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Tensione diretta Vf -4V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 6.1 mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 2.3mm
	Lunghezza 6.6mm
	Standard automobilistico No

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.