MOSFET Toshiba, canale Tipo P 60 V, 130 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie TJ8S06M3L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2492
Codice costruttore:
TJ8S06M3L
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

27W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Larghezza

7 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non applicabile

Paese di origine:
JP
Applicazioni

Automobilistico

Azionamenti per motori

Convertitori cc-cc

Regolatori switching di tensione

Caratteristiche

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 80 mΩ (tip.) (VGS = -10 V)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60V)

Modalità potenziata: Vth = da -2 a -3 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

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