MOSFET Infineon, canale N, 210 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5902
Codice costruttore:: IRFR120NTRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 210 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-5902
Codice costruttore:: IRFR120NTRLPBF
Costruttore:: Infineon

IRFR120NPbF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,4 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	210 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	48 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 210 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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