MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 210 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR120NTRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-4035
Codice costruttore:
IRFR120NTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

Lead-Free

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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