MOSFET Infineon, canale N, 210 mΩ, 9,4 A, IPAK (TO-251), Su foro

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Infineon IRFU120N è un MOSFET di potenza a canale N singolo 100V in contenitore i-Pak. La famiglia MOSFET a infrarossi di MOSFET di potenza utilizza collaudati processi in silicio che offrono un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni, come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico e applicazioni a batteria.

Montaggio superficiale
Cavo diritto
Commutazione rapida
Senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.