MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 210 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU120NPBF

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Codice RS:
178-1507
Codice costruttore:
IRFU120NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

IPAK

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.3 mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 9,4A di corrente continua massima di drenaggio, 100V di tensione massima della sorgente di drenaggio - IRFU120NPBF


Questo MOSFET a canale N è progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'elettronica e dell'elettricità. Con una corrente di drain continua massima di 9,4A e una tensione di drain-source di 100V, questo dispositivo offre una funzionalità affidabile in diversi sistemi. Confezionato in un involucro IPAK TO-251, il MOSFET rappresenta una soluzione compatta per una gestione efficiente della potenza.

Caratteristiche e vantaggi


• Progettato per il funzionamento in modalità enhancement, offre una commutazione affidabile

• L'elevata capacità di dissipazione di energia di 48W migliora le prestazioni

• Ideale per applicazioni ad alta corrente in progetti elettronici robusti

• La configurazione a singolo MOSFET Si garantisce un'integrazione semplificata

Applicazioni


• Utilizzato nelle soluzioni di gestione dell'energia per i sistemi di automazione

• Utilizzato nei circuiti di controllo dei motori dei macchinari industriali

• Utilizzato nei convertitori di potenza per sistemi di energia rinnovabile

• Adatto all'elettronica di consumo che richiede un'alimentazione affidabile

• Integrato negli azionamenti dei motori in ambito elettrico e meccanico

Qual è il significato del basso valore di Rds(on)?


Il basso valore di Rds(on), pari a 210mΩ, garantisce una resistenza minima allo stato di accensione, con conseguente miglioramento dell'efficienza e riduzione della generazione di calore durante il funzionamento. Questa caratteristica è particolarmente importante nelle applicazioni ad alta frequenza, dove la perdita di potenza può essere notevole.

Come si comporta il MOSFET a temperature estreme?


Con una temperatura operativa massima di +175°C e minima di -55°C, questo dispositivo è stato progettato per mantenere prestazioni costanti in ambienti difficili. Questa resilienza lo rende adatto a un'ampia gamma di applicazioni in cui le fluttuazioni di temperatura sono frequenti.

Quali vantaggi offre la modalità di potenziamento ai progettisti di circuiti?


La modalità di potenziamento consente al transistor di essere normalmente spento, il che migliora la stabilità del circuito e impedisce il flusso di corrente indesiderato durante i periodi non attivi. Questa funzione offre ai progettisti un maggiore controllo sulla gestione dell'alimentazione del sistema.

Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni ad alta potenza?


Sì, con una capacità di dissipazione di potenza di 48 W e una corrente di drenaggio continua massima di 9,4 A, questo MOSFET è adatto ad applicazioni ad alta potenza. La sua robustezza garantisce l'affidabilità in ambienti elettrici difficili.

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