MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 210 mΩ Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU120NPBF
- Codice RS:
- 178-1507
- Codice costruttore:
- IRFU120NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-1507
- Codice costruttore:
- IRFU120NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 210mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 2.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Altezza | 6.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package IPAK | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 210mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 2.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Altezza 6.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, 9,4A di corrente continua massima di drenaggio, 100V di tensione massima della sorgente di drenaggio - IRFU120NPBF
Questo MOSFET a canale N è progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'elettronica e dell'elettricità. Con una corrente di drain continua massima di 9,4A e una tensione di drain-source di 100V, questo dispositivo offre una funzionalità affidabile in diversi sistemi. Confezionato in un involucro IPAK TO-251, il MOSFET rappresenta una soluzione compatta per una gestione efficiente della potenza.
Caratteristiche e vantaggi
• Progettato per il funzionamento in modalità enhancement, offre una commutazione affidabile
• L'elevata capacità di dissipazione di energia di 48W migliora le prestazioni
• Ideale per applicazioni ad alta corrente in progetti elettronici robusti
• La configurazione a singolo MOSFET Si garantisce un'integrazione semplificata
Applicazioni
• Utilizzato nelle soluzioni di gestione dell'energia per i sistemi di automazione
• Utilizzato nei circuiti di controllo dei motori dei macchinari industriali
• Utilizzato nei convertitori di potenza per sistemi di energia rinnovabile
• Adatto all'elettronica di consumo che richiede un'alimentazione affidabile
• Integrato negli azionamenti dei motori in ambito elettrico e meccanico
Qual è il significato del basso valore di Rds(on)?
Il basso valore di Rds(on), pari a 210mΩ, garantisce una resistenza minima allo stato di accensione, con conseguente miglioramento dell'efficienza e riduzione della generazione di calore durante il funzionamento. Questa caratteristica è particolarmente importante nelle applicazioni ad alta frequenza, dove la perdita di potenza può essere notevole.
Come si comporta il MOSFET a temperature estreme?
Con una temperatura operativa massima di +175°C e minima di -55°C, questo dispositivo è stato progettato per mantenere prestazioni costanti in ambienti difficili. Questa resilienza lo rende adatto a un'ampia gamma di applicazioni in cui le fluttuazioni di temperatura sono frequenti.
Quali vantaggi offre la modalità di potenziamento ai progettisti di circuiti?
La modalità di potenziamento consente al transistor di essere normalmente spento, il che migliora la stabilità del circuito e impedisce il flusso di corrente indesiderato durante i periodi non attivi. Questa funzione offre ai progettisti un maggiore controllo sulla gestione dell'alimentazione del sistema.
Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni ad alta potenza?
Sì, con una capacità di dissipazione di potenza di 48 W e una corrente di drenaggio continua massima di 9,4 A, questo MOSFET è adatto ad applicazioni ad alta potenza. La sua robustezza garantisce l'affidabilità in ambienti elettrici difficili.
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