MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 9.4 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-5714
Codice costruttore:
IRF7855TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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