MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 75 V, 9.4 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF2807ZSTRLPBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

18,73 €

(IVA esclusa)

22,85 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 30 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 401,873 €18,73 €
50 - 901,498 €14,98 €
100 - 2401,405 €14,05 €
250 - 4901,292 €12,92 €
500 +1,199 €11,99 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
831-2806
Codice costruttore:
IRF2807ZSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 89A, dissipazione di potenza massima 170W - IRF2807ZSTRLPBF


Questo MOSFET è progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni, offrendo efficienza e affidabilità in vari circuiti elettronici. La bassa resistenza all'accensione e le forti caratteristiche termiche lo rendono essenziale per gli utenti dei settori dell'automazione, elettrico e meccanico, consentendo una gestione efficace dell'alimentazione e una riduzione delle perdite di energia.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di drenaggio continua fino a 89A

• Tensione massima drain-source di 75 V

• Temperatura di esercizio fino a +175 °C per la stabilità termica

• Bassa Rds(on) di 9,4 mΩ per ridurre la perdita di potenza

• Le capacità di commutazione rapida migliorano la reattività del sistema

• Dispositivo di modalità di potenziamento per un funzionamento ottimale

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per una conversione efficiente dell'energia

• Impiegato nei sistemi automobilistici e industriali per il controllo dei motori

• Adatto per convertitori DC-DC e regolatori di commutazione

• Applicabile nella commutazione ad alta frequenza in elettronica

• Utilizzato per la protezione da sovraccarico in vari sistemi elettrici

Qual è la tensione massima di gate-source che questo componente può gestire?


Può gestire una tensione massima di gate-source di ±20V, garantendo la compatibilità con diversi segnali di controllo.

Come si comporta questo componente alle alte temperature?


Con una temperatura operativa massima di +175°C, rimane stabile e funzionale in ambienti ad alta temperatura, rendendolo adatto a tali applicazioni.

Qual è lo scopo della bassa resistenza di accensione?


La bassa resistenza di accensione riduce al minimo la generazione di calore e migliora l'efficienza durante il funzionamento, un aspetto importante per le applicazioni a corrente elevata.

Può essere utilizzato sia in progetti a montaggio superficiale che a foro passante?


Questo dispositivo è stato progettato specificamente per la tecnologia di montaggio superficiale in un pacchetto D2PAK, ottimizzando lo spazio e le prestazioni termiche.

In che modo la velocità di commutazione è vantaggiosa per la progettazione del sistema?


La commutazione rapida migliora l'efficienza complessiva del sistema e consente una progettazione compatta, facilitando il funzionamento a frequenza più elevata nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione.

Link consigliati