MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 75 V, 9.4 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF2807ZSTRLPBF
- Codice RS:
- 831-2806
- Codice costruttore:
- IRF2807ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 831-2806
- Codice costruttore:
- IRF2807ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 75A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 75A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 89A, dissipazione di potenza massima 170W - IRF2807ZSTRLPBF
Questo MOSFET è progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni, offrendo efficienza e affidabilità in vari circuiti elettronici. La bassa resistenza all'accensione e le forti caratteristiche termiche lo rendono essenziale per gli utenti dei settori dell'automazione, elettrico e meccanico, consentendo una gestione efficace dell'alimentazione e una riduzione delle perdite di energia.
Caratteristiche e vantaggi
• Corrente di drenaggio continua fino a 89A
• Tensione massima drain-source di 75 V
• Temperatura di esercizio fino a +175 °C per la stabilità termica
• Bassa Rds(on) di 9,4 mΩ per ridurre la perdita di potenza
• Le capacità di commutazione rapida migliorano la reattività del sistema
• Dispositivo di modalità di potenziamento per un funzionamento ottimale
Applicazioni
• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per una conversione efficiente dell'energia
• Impiegato nei sistemi automobilistici e industriali per il controllo dei motori
• Adatto per convertitori DC-DC e regolatori di commutazione
• Applicabile nella commutazione ad alta frequenza in elettronica
• Utilizzato per la protezione da sovraccarico in vari sistemi elettrici
Qual è la tensione massima di gate-source che questo componente può gestire?
Può gestire una tensione massima di gate-source di ±20V, garantendo la compatibilità con diversi segnali di controllo.
Come si comporta questo componente alle alte temperature?
Con una temperatura operativa massima di +175°C, rimane stabile e funzionale in ambienti ad alta temperatura, rendendolo adatto a tali applicazioni.
Qual è lo scopo della bassa resistenza di accensione?
La bassa resistenza di accensione riduce al minimo la generazione di calore e migliora l'efficienza durante il funzionamento, un aspetto importante per le applicazioni a corrente elevata.
Può essere utilizzato sia in progetti a montaggio superficiale che a foro passante?
Questo dispositivo è stato progettato specificamente per la tecnologia di montaggio superficiale in un pacchetto D2PAK, ottimizzando lo spazio e le prestazioni termiche.
In che modo la velocità di commutazione è vantaggiosa per la progettazione del sistema?
La commutazione rapida migliora l'efficienza complessiva del sistema e consente una progettazione compatta, facilitando il funzionamento a frequenza più elevata nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione.
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