MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 2 mΩ Miglioramento, 269 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1055,20 €

(IVA esclusa)

1287,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 800 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +1,319 €1.055,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
218-3123
Codice costruttore:
IRFS7730TRL7PP
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

269A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

428nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.65mm

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. Integrato con contenitore di tipo D2PAK 7pin (TO-263 7pin).

Senza piombo, conforme a RoHS

Link consigliati