MOSFET Infineon, canale N 75 V, 2 mΩ Miglioramento, 269 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IRFS7730TRL7PP

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3124
Codice costruttore:
IRFS7730TRL7PP
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

269A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

428nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

9.65mm

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. Integrato con contenitore di tipo D2PAK 7pin (TO-263 7pin).

Senza piombo, conforme a RoHS

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