MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 183 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
273-3032
Codice costruttore:
IRFS7734TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

183A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

290W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Lead-Free

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon in un contenitore D2-Pak è ottimizzato per la massima disponibilità dai partner di distribuzione.

Qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

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