MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 183 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS7734TRLPBF

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

910,40 €

(IVA esclusa)

1110,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +1,138 €910,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3031
Codice costruttore:
IRFS7734TRLPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

183A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Dissipazione di potenza massima Pd

290W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Lead-Free

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon in un contenitore D2-Pak è ottimizzato per la massima disponibilità dai partner di distribuzione.

Qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale

Link consigliati