MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 13.9 mΩ Miglioramento, 63 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

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Codice RS:
262-6778
Codice costruttore:
IRFU4510PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

IPAK

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

143W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon offre vantaggi quali gate migliorato, valanga e robustezza dinamica dV/dt e capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga.

Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata

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