MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 13.9 mΩ Miglioramento, 63 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 3000 unità*

7308,00 €

(IVA esclusa)

8916,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
3000 +2,436 €7.308,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
262-6778
Codice costruttore:
IRFU4510PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

IPAK

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Dissipazione di potenza massima Pd

143W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon offre vantaggi quali gate migliorato, valanga e robustezza dinamica dV/dt e capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga.

Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.