MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13.9 mΩ Miglioramento, 63 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

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Codice RS:
262-6778
Codice costruttore:
IRFU4510PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

143W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon offre vantaggi quali gate migliorato, valanga e robustezza dinamica dV/dt e capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga.

Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata

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