MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 13.9 mΩ Miglioramento, 63 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 145-9568
- Codice costruttore:
- IRFR4510TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-9568
- Codice costruttore:
- IRFR4510TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 63A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 143W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 7.49 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 63A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 143W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 7.49 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
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