MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 178 mΩ Miglioramento, 13.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD18DP10LMATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-4855
Codice costruttore:
IPD18DP10LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

13.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

178mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

-42nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P OptiMOS™ 100V Infineon nel contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile in versione normale con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.

Disponibile in 4 diversi contenitori

Ampia gamma

Livello normale e disponibilità di livello logico

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse

Facile interfaccia per MCU

Bassa complessità di progettazione

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