MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 178 mΩ Miglioramento, 13.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD18DP10LMATMA1
- Codice RS:
- 235-4854
- Codice costruttore:
- IPD18DP10LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 2500 unità, in una bobina da 2500*
1350,00 €
(IVA esclusa)
1650,00 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,54 € | 1.350,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 235-4854
- Codice costruttore:
- IPD18DP10LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 178mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 83W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | -42nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 178mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 83W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs -42nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.41mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET a canale P OptiMOS™ 100V Infineon nel contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile in versione normale con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.
Disponibile in 4 diversi contenitori
Ampia gamma
Livello normale e disponibilità di livello logico
Ideale per frequenze di commutazione alte e basse
Facile interfaccia per MCU
Bassa complessità di progettazione
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