MOSFET Toshiba, canale N, 4,5 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2416
Codice costruttore:: TK100S04N1L
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 4,5 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

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2000 +	1,069 €	2.138,00 €

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Codice RS:: 171-2416
Codice costruttore:: TK100S04N1L
Costruttore:: Toshiba

TK100S04N1L Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	180 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	76 nC a 10 V
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	7mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	2.3mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101

MOSFET Toshiba, canale N, 4,5 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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