MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TSON, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:
171-2208
Codice costruttore:
TPN2R304PL
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.1mm

Larghezza

3.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.85mm

Standard automobilistico

No

Esente

Convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza

Regolatori switching di tensione

Azionamenti per motori

Commutazione ad alta velocità

Carica di gate piccola: QSW = 10,8 nC (tip.)

Carica di uscita piccola: Qoss = 27 nC (tip.)

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 1,8 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)

Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Modalità potenziata: Vth = da 1,4 a 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

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