MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 60 V, 0.99 mΩ Miglioramento, 339 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Montaggio

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Codice RS:
762-986
Codice costruttore:
IQFH99N06NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

339A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TSON-12

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

115nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor OptiMOS 5Power di Infineon, 60 V, è ottimizzato per azionamenti a bassa tensione, alimentazione a batteria e applicazioni di raddrizzamento sincrono. Completamente qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni industriali.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Resistenza termica superiore

Canale N

Placcatura senza piombo, conforme alla direttiva RoHS

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