MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 60 V, 0.99 mΩ Miglioramento, 339 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Montaggio

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Codice RS:
762-986
Codice costruttore:
IQFH99N06NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

339A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TSON-12

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

115nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor OptiMOS 5Power di Infineon, 60 V, è ottimizzato per azionamenti a bassa tensione, alimentazione a batteria e applicazioni di raddrizzamento sincrono. Completamente qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni industriali.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Resistenza termica superiore

Canale N

Placcatura senza piombo, conforme alla direttiva RoHS

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